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 Probing and Manipulating the Interfacial Defects of InGaAs Dual‐Layer Metal Oxides at the Atomic Scale 在原子尺度上探测和操纵InGaAs双层金属氧化物的界面缺陷
相关领域
材料科学
光电子学
二极管
半导体
晶体管
基质（水族馆）
数码产品
原子单位
氧化物
纳米技术
电气工程
工程类
冶金
电压
地质学
物理
海洋学
量子力学
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| 其它 |
期刊：Advanced Materials 作者：Xing Wu; Chen Luo; Hao Peng; Tao Sun; Runsheng Wang; et al 出版日期：2017-11-27 |
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