| 标题 |
 Roles of V/III ratio and mixture degree in GaN growth: CFD and MD simulation study V/III比和混合度在GaN生长中的作用：CFD和MD模拟研究
相关领域
材料科学
氮化镓
计算流体力学
分子动力学
镓
表面粗糙度
增长模型
学位（音乐）
沉积（地质）
氮化物
表面光洁度
纳米技术
机械
化学物理
复合材料
计算化学
物理
化学
数学
冶金
图层（电子）
古生物学
数理经济学
生物
声学
沉积物
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Chinese Physics B 作者：An Zhou; Xiangqian Xiu; Rong Zhang; Zili Xie; Xue-Mei Hua; et al 出版日期：2013-01-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
SYLH
cdercder
jenningseastera
孙燕
科研助手6
昏睡的蟠桃
coolkid
PA
zho
hjyylab
OCDer
iNk
挖掘机
从容芮
猪猪hero
hanzhipad
Kirito
shinysparrow
冰魂
一一
皖公网安备34019202002308
