Defect-Engineered PECVD-Grown hBN Enabling Effective Charge Trapping in IGZO Synaptic Transistors

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标题	Defect-Engineered PECVD-Grown hBN Enabling Effective Charge Trapping in IGZO Synaptic Transistors
网址	http://dx.doi.org/10.1021/acsaelm.6c01001
DOI	10.1021/acsaelm.6c01001 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Doyun Lee; Woojin Park; Si Hyeong Lee; Junhuk Kim; Junyeong Gu; et al 出版日期：2026-10-01
求助人	犹豫的秋凌在 2026-10-16 19:36:05 发布自广东，悬赏 10 积分
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