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 Power Performance of AlGaN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors with AlN Buffer on SiC Substrate at 3.5 GHz 3.5 GHz SiC衬底AlN缓冲AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的功率性能
相关领域
材料科学
光电子学
高电子迁移率晶体管
跨导
晶体管
基质（水族馆）
化学气相沉积
缓冲器（光纤）
射频功率放大器
薄脆饼
金属有机气相外延
图层（电子）
电压
电气工程
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CMOS芯片
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工程类
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海洋学
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期刊：Physica status solidi. A, Applications and materials science 作者：Minho Kim; Uiho Choi; Keono Kim; Yunseok Heo; Kyeong-Jae Lee; et al 出版日期：2023-06-01 |
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