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标题
[高分] Process stability of SiGe heterostructures for BiCMOS applications
BiCMOS应用中SiGe异质结构的工艺稳定性
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网址
https://doi.org/10.1051/jp4:1999840
DOI
10.1051/jp4:1999840 doi
其它 期刊：Journal de Physique IV (Proceedings)
作者：P. Ribot; S. Jouan; J.L. Regolini
出版日期：1999-09-01
求助人
cdliuchao 在 2025-10-14 07:11:27 发布自江西，悬赏 50 积分
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