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 A Nonvolatile Memory Device Made of a Ferroelectric Polymer Gate Nanodot and a Single-Walled Carbon Nanotube 由铁电聚合物栅极纳米点和单壁碳纳米管制成的非易失性存储器件
相关领域
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期刊：ACS Nano 作者：Jong Yeog Son; Sangwoo Ryu; Yoon-Cheol Park; Yun-Tak Lim; Yun‐Sok Shin; et al 出版日期：2010-11-04 |
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