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 Physical Modeling of InP/InGaAs DHBTs With Augmented Drift-Diffusion and Boltzmann Transport Equation Solvers—Part I: Simulation Tools and Application to Sample Structures 用增强漂移扩散和玻尔兹曼输运方程求解器对InP/InGaAs DHBTs进行物理模拟。第一部分：模拟工具及其在样品结构中的应用
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Hendrik Leenders; Markus Müller; Christoph Jungemann; M. Schröter 出版日期：2023-08-17 |
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