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 Low Contact Resistance WSe2 p-Type Transistors with Highly Stable, CMOS-Compatible Dopants 具有高度稳定的CMOS兼容掺杂剂的低接触电阻WSe2 p型晶体管
相关领域
掺杂剂
接触电阻
CMOS芯片
材料科学
晶体管
光电子学
纳米技术
掺杂剂活化
兴奋剂
电气工程
工程类
电压
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：Nano Letters 作者：Inha Kim; Naoki Higashitarumizu; I. K. M. Reaz Rahman; Shu Wang; Hyong Min Kim; et al 出版日期：2024-10-18 |
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