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 Structure-Dependent Ferroelectric Enhancement in Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films under High-Pressure Post-Deposition Annealing 相关领域
铁电性
材料科学
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薄膜
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光电子学
原子层沉积
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表面光洁度
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期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Jun Young Beom; Hye-Jin Oh; Seokwon Lim; Taewon Hwang; Chang-Kyun Park; et al 出版日期：2026-07-27 |
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