Quantitative chemical topography of polycrystalline Si anisotropically etched in Cl2/O2 high density plasmas

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标题	Quantitative chemical topography of polycrystalline Si anisotropically etched in Cl2/O2 high density plasmas
网址	http://dx.doi.org/10.1116/1.588355
DOI	10.1116/1.588355 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures Processing, Measurement, and Phenomena 作者：K. V. Guinn; C. C. Cheng; V. M. Donnelly 出版日期：1995-03-01
求助人	你在看什么28 在 2026-08-12 18:00:59 发布自辽宁，悬赏 20 积分
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