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Experimental Demonstration of Grid-Gate LDMOS with Ultra-Low R on,sp and High HCI Robustness on 55nm BCD Platform |
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Yì Wáng; Ming Qiao; Fanyi Zeng; Hanwen Bai; Wenliang Liu; et al 出版日期:2026-01-01 |
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(2025-6-4)