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Experimental Demonstration of Grid-Gate LDMOS with Ultra-Low R on,sp and High HCI Robustness on 55nm BCD Platform
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DOI
10.1109/led.2026.3689917 doi
其它 期刊:IEEE Electron Device Letters
作者:Yì Wáng; Ming Qiao; Fanyi Zeng; Hanwen Bai; Wenliang Liu; et al
出版日期:2026-01-01
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