High crystal quality strained Si0.5Ge0.5 layer with a thickness of up to 50 nm grown on the three-layer SiGe strain relaxed buffer

已完结

文献求助详情

标题	High crystal quality strained Si0.5Ge0.5 layer with a thickness of up to 50 nm grown on the three-layer SiGe strain relaxed buffer 在三层SiGe应变松弛缓冲液上生长具有高达50 nm厚度的高晶体质量应变Si0.5Ge0.5层
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/abs/pii/S13698...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	自觉的静竹在 2023-07-20 11:13:29 发布自上海，悬赏 10 积分
下载	该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。

Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

上个求助

该求助已完结，感谢关注

如需该文献，请重新发布求助，前往发布

关注科研痛点，打通你的七经六脉

请遵守相关知识产权规定，勿将文件分享给他人，仅可用于个人研究学习

我的文献求助列表浏览历史

一分钟了解求助规则 | 捐赠本站 | 论文查重

更新

大幅提高文件上传限制，最高150M (2024-4-1)

更新

新增期刊收藏功能 (2024-03-23)

科研通是完全免费的文献互助平台，具备全网最快的应助速度，最高的求助完成率。对每一个文献求助，科研通都将尽心尽力，给求助人一个满意的交代。

实时播报: Cedric发布了新的文献求助10

1秒前; 光亮乘云完成签到，获得积分10

3秒前; eric完成签到，获得积分10

5秒前; 秋风暖暖完成签到，获得积分0

16秒前; 今后上传了应助文件

18秒前; panpanliumin完成签到，获得积分10

21秒前; 温暖的问候完成签到，获得积分10

22秒前; 温匕发布了新的文献求助10

23秒前; LXP完成签到，获得积分10

38秒前; 风信子完成签到，获得积分10

41秒前; whuhustwit完成签到，获得积分10

56秒前; Sunnpy完成签到，获得积分10

1分钟前; HXL完成签到，获得积分10

1分钟前; humorlife完成签到，获得积分10

1分钟前; HMR完成签到，获得积分10

1分钟前; 温匕完成签到，获得积分20

1分钟前; Wilson完成签到，获得积分10

1分钟前; lion完成签到，获得积分10

1分钟前; allrubbish完成签到，获得积分10

1分钟前; wure10完成签到，获得积分10

1分钟前; 凶狠的盛男完成签到，获得积分10

1分钟前; 碗在水中央完成签到，获得积分10

1分钟前; 若眠完成签到，获得积分10

2分钟前; sulf完成签到，获得积分10

2分钟前; 合适醉蝶完成签到，获得积分10

2分钟前; 柒邪完成签到，获得积分10

2分钟前; 寒战完成签到，获得积分10

2分钟前; 怡心亭完成签到，获得积分10

2分钟前; deniroming完成签到，获得积分10

2分钟前; 小鱼女侠完成签到，获得积分10

2分钟前; 曾经不言完成签到，获得积分10

2分钟前; Garrett完成签到，获得积分10

3分钟前; 友好冷之上传了应助文件

3分钟前; 陈麦子完成签到，获得积分10

3分钟前; scarlet完成签到，获得积分10

3分钟前; crystaler完成签到，获得积分10

4分钟前; 冰洁儿完成签到，获得积分10

4分钟前; zzr完成签到，获得积分10

4分钟前; 友好冷之上传了应助文件

4分钟前; 无理完成签到，获得积分10

4分钟前