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Design and Implementation of Negative Capacitance Based Electrostatic Doped Double Gate Tunnel Field Effect Transistor 基于负电容的静电掺杂双栅隧道场效应晶体管的设计与实现
相关领域
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期刊:Silicon 作者:Mohd Ashraf Lone; Leo Raj Solay; Amandeep Singh; S. Intekhab Amin; Sunny Anand 出版日期:2022-05-13 |
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