Modified Gate Oxide Double Gate Tunnel Field-Effect Transistor

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作者
Priyanka Karmakar,Prasanna Kumar Sahu
出处
期刊:Silicon [Springer Science+Business Media]
卷期号:14 (12): 6729-6736 被引量:9
标识
DOI:10.1007/s12633-021-01433-5
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