Vapour-deposited CsSnI₃ perovskite transistors with record hole mobility for complementary electronics

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标题	Vapour-deposited CsSnI₃ perovskite transistors with record hole mobility for complementary electronics
网址	http://dx.doi.org/10.1126/sciadv.adn8765
DOI	10.1126/sciadv.adn8765 doi
求助人	wan111 在 2026-02-22 19:06:31 发布自上海，悬赏 10 积分
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