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  Degradation of GaN field emitter arrays induced by O2 exposure O2暴露引起GaN场发射极阵列的退化
相关领域
材料科学
阳极
托尔
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期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B Nanotechnology and Microelectronics Materials Processing Measurement and Phenomena 作者：Reza Farsad Asadi; Tao Zheng; Pao-Chuan Shih; Tomás Palacios; Akintunde I. Akinwande; et al 出版日期：2024-01-01 |
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