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标题
TCAD modeling of radiation-induced defects in 4H-SiC diodes
4H-SiC二极管辐射诱导缺陷的TCAD建模
相关领域
光电子学 辐射 材料科学 二极管 PIN二极管 工程物理 光学 物理
网址
https://doi.org/10.1016/j.nima.2024.170015
DOI
10.1016/j.nima.2024.170015 doi
其它 期刊：Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment
作者：Philipp Gaggl; Jürgen Burin; Andreas Gsponer; Simon Waid; Richard Thalmeier; et al
出版日期：2024-10-30
求助人
绵绵球 在 2025-12-05 16:14:11 发布自福建，悬赏 10 积分
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