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 Carrier density dependent Auger recombination in c-plane (In,Ga)N/GaN quantum wells: insights from atomistic calculations c面（In，Ga）N/GaN量子阱中载流子密度相关俄歇复合：来自原子计算的见解
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期刊：Journal of Physics D Applied Physics 作者：Joshua M. McMahon; Emmanouil Kioupakis; Stefan Schulz 出版日期：2023-11-30 |
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