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 Oxide Memristor of Ag/Ag+ Doped V2O5 and SnO2 Bilayer Thin Film for Energy Efficient Memory, Logic and Neuromorphic Device Application 相关领域
材料科学
神经形态工程学
记忆电阻器
光电子学
双层
电阻随机存取存储器
薄膜
制作
突触重量
氧化物
纳米技术
兴奋剂
降级（电信）
GSM演进的增强数据速率
卷积神经网络
电压
再现性
非易失性存储器
纳米点
高效能源利用
电压降低
逻辑门
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期刊：Advanced Functional Materials 作者：Subarna Pramanik; Rajarshi Chakraborty; Pushpendra Prakash Maurya; Swati Suman; Parasuraman Swaminathan; et al 出版日期：2025-09-23 |
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