Effect of Acceptor-Type Traps in GaN Buffer Layer on Current Collapse of ε-Ga2O3/GaN HEMTs

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标题	Effect of Acceptor-Type Traps in GaN Buffer Layer on Current Collapse of ε-Ga2O3/GaN HEMTs
网址	https://link.springer.com/content/pdf/10.1007/s11664-025-118...
DOI	10.1007/s11664-025-11823-9 doi
其它	期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Andeng Qu; Zhigao Xie; Yan Wang; Guofeng Hu; Chee-Keong Tan 出版日期：2025-02-21
求助人	神烦狗在 2026-03-24 15:51:32 发布自北京，悬赏 10 积分
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