Ga‐Doped SnO2 Electron Transport Layer with Tunable Mobility and Conductivity for High‐Performance Inverted Quantum Dot Light‐Emitting Diodes

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标题	Ga‐Doped SnO2 Electron Transport Layer with Tunable Mobility and Conductivity for High‐Performance Inverted Quantum Dot Light‐Emitting Diodes
网址	https://doi.org/10.1002/adom.202502968
DOI	10.1002/adom.202502968 doi
其它	期刊：Advanced Optical Materials 作者：Chen Lin; Mengxin Liu; Yuhui Liu; Xin Su; Xinan Shi; Daocheng Pan 出版日期：2026
求助人	ice贝在 2026-04-14 14:27:27 发布自江苏，悬赏 10 积分
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