| 标题 |
 Electronic band structure engineering in ALD HfO2: Linking impurity chemistry to electronic performance and charge transport 相关领域
材料科学
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薄膜
电子工程
沉积（地质）
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| 网址 | |
| DOI |
10.1016/j.actamat.2025.121780
doi
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| 其它 |
期刊：Acta Materialia 作者：Bingbing Xia; Guocong Lin; Jean‐Jacques Ganem; Emrick Briand; S Steydli; et al 出版日期：2025-11-29 |
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