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Fabrication of Ultrathin Ferroelectric Al0.7Sc0.3N Films under Complementary‐Metal‐Oxide‐Semiconductor Compatible Conditions by using HfN0.4 Electrode 相关领域
材料科学
铁电性
光电子学
制作
电极
氧化物
泄漏(经济)
矫顽力
纳米技术
电介质
冶金
凝聚态物理
经济
物理化学
化学
病理
宏观经济学
替代医学
物理
医学
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期刊:Advanced Materials 作者:Seung Kyu Ryoo; Kyung Do Kim; Wonho Choi; Panithan Sriboriboon; S.B. Heo; et al 出版日期:2024-11-13 |
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