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 Investigation on Improving Short-Circuit Characteristic of 1200-V Planar-Gate SiC MOSFETs Using Enhanced N-Buffer Design 相关领域
材料科学
JFET公司
光电子学
兴奋剂
焦耳加热
稳健性（进化）
消散
碳化硅
电流密度
MOSFET
平面的
电力电子
功率半导体器件
逻辑门
发热
电场
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电子工程
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功率密度
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工程物理
焦耳效应
小型化
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Wenjing Zhang; Yanjing He; Guofeng Hu; Yanjing He; Qingwen Song; et al 出版日期：2025-11-03 |
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