| 标题 |
 Junction Field‐Effect Transistors Based on PdSe2/MoS2 Heterostructures for Photodetectors Showing High Responsivity and Detectivity 用于光电探测器的基于PdSe2/MoS2异质结构的结型场效应晶体管
相关领域
响应度
光电探测器
JFET公司
光电子学
材料科学
异质结
比探测率
场效应晶体管
调制（音乐）
光电流
晶体管
物理
电压
声学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Functional Materials 作者：Haoyun Wang; Zexin Li; Dongyan Li; Xiang Xu; Ping Chen; et al 出版日期：2021-09-04 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
在下诸葛
寻道图强
maox1aoxin
小尹同学
SOLOMON
竹筏过海
云瑾
丘比特
sswbzh
pluto
lalala
sutharsons
从容芮
Ava
benben
夏侯万声
bravo
情怀
大模型
andrele
皖公网安备34019202002308
