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 Improvement of linearity in GaN high electron mobility transistors by incorporation of a reverse Schottky barrier at source access region 相关领域
跨导
材料科学
线性
光电子学
高电子迁移率晶体管
互调
晶体管
肖特基势垒
肖特基二极管
电子迁移率
宽禁带半导体
等效串联电阻
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电流源
无线电频率
异质结
电压
截止频率
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氮化镓
功率（物理）
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xiao-Jin Chen; Yu-Jia Fan; Mei Xu; Zhao-Feng Wang; Hang-Hai Du; et al 出版日期：2026-09-21 |
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