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Achieving ≥ 1200-V High-Performance GaN HEMTs on Sapphire With Carbon-Doped Buffer |
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期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Zhibo Cheng; Xiangdong Li; Long Chen; Lezhi Wang; Zilan Li; et al 出版日期:2024-10-29 |
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(2025-6-4)