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 The Achievement of Pulse Laser Deposited Amorphous p-Type N-Doped Ga2O3 for Applying in Thin Film Transistor and Homojunction Diode 脉冲激光沉积非晶p型N掺杂Ga2O3在薄膜晶体管和同质结二极管中的应用
相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Device and Materials Reliability 作者：Teng-Min Fan; Chen Wang; Cong Yi; Chenhao Zhou; Yu‐Li Su; et al 出版日期：2025-01-01 |
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