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 Demonstration of Germanium Vertical Gate-All-Around Field-Effect Transistors Featured by Self-Aligned High-κ Metal Gates with Record High Performance 锗垂直栅极——全场效应晶体管的演示，其特点是具有创纪录高性能的自对准高κ金属栅极
相关领域
材料科学
锗
场效应晶体管
光电子学
蚀刻（微加工）
金属浇口
钝化
晶体管
纳米线
纳米技术
各向同性腐蚀
外延
图层（电子）
硅
栅氧化层
电气工程
电压
工程类
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| 其它 |
期刊：ACS Nano 作者：Lu Xie; Huichao Zhu; Yongkui Zhang; Xuezheng Ai; Junjie Li; et al 出版日期：2023-10-12 |
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