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Current transport dynamics and stability characteristics of the NiO x based gate structure for normally-off GaN HEMTs 常闭GaN HEMTs NiO x基栅极结构的电流输运动力学和稳定性特性
相关领域
材料科学
光电子学
非阻塞I/O
退火(玻璃)
阈值电压
晶体管
制作
金属浇口
栅氧化层
电压
电气工程
化学
病理
复合材料
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催化作用
医学
工程类
生物化学
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期刊:Journal of Physics D Applied Physics 作者:Yonghao Du; Weizong Xu; Hehe Gong; Jiandong Ye; Feng Zhou; et al 出版日期:2022-09-12 |
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