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  Strain-compensated (Ga,In)N/(Al,Ga)N/GaN multiple quantum wells for improved yellow/amber light emission 用于改善黄色/琥珀色光发射的应变补偿（Gae，In）N/（Al，Gae）N/Gap多量子井
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Kaddour Lekhal; B. Damilano; Thi Huong Ngo; Daniel Rosales; P. de Mierry; et al 出版日期：2015-04-06 |
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