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 InGaN/GaN edge emitting laser diodes using an epitaxial lateral overgrowth with a low-defect density area of more than 75% 采用低缺陷密度区域超过75%的低缺陷密度区域的磊普/Gap边缘发射激光二极管
相关领域
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Hsun–Ming Chang; Srinivas Gandrothula; Stephen Gee; Tanay Tak; Matthew S. Wong; et al 出版日期：2024-12-12 |
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