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 A high performance 1.8 V, 0.20 μm CMOS technology with copper metallization 一种高性能1.8 V、0.20 μ m铜金属化CMOS技术
相关领域
CMOS芯片
铜
制作
材料科学
可靠性（半导体）
晶体管
光电子学
PMOS逻辑
电气工程
逻辑门
静态随机存取存储器
图层（电子）
电路可靠性
电子工程
功率（物理）
工程类
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期刊：International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest 作者：S. Venkatesan; A.V. Gelatos; S. Hisra; B. Smith; R. Islam; et al 出版日期：2002-11-23 |
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