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标题
Impact of fast and slow transient charging effect on reliability instability in In0.7Ga0.3As quantum-well MOSFETs with high-κ dielectrics
快、慢瞬态充电效应对高κ介质In0.7Ga 0.3 As量子阱MOSFET可靠性不稳定性的影响
相关领域
负偏压温度不稳定性 瞬态（计算机编程） 可靠性（半导体） 电介质 不稳定性 材料科学 光电子学 凝聚态物理 量子阱 MOSFET 物理 计算机科学 量子力学 晶体管 电压 功率（物理） 操作系统 激光器
网址
https://doi.org/10.35848/1347-4065/abbfe5
DOI
10.35848/1347-4065/abbfe5 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Hyuk-Min Kwon; Dae-Hyun Kim; Tae‐Woo Kim
出版日期：2020-10-09
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和谐的山灵 在 2025-10-17 06:25:58 发布自福建，悬赏 10 积分
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