| 标题 |
Hydrogenation of the wide-gap oxide semiconductor as a room-temperature and 3D-compatible electron doping technique |
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊:AIP Advances 作者:T. Yajima; G. Oike; S. Yamaguchi; S. Miyoshi; T. Nishimura; et al 出版日期:2018-11-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
PDF的下载单位、IP信息已删除
(2025-6-4)