Avalanche leakage current mechanism in vertical GaN devices on foreign substrates

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标题	Avalanche leakage current mechanism in vertical GaN devices on foreign substrates
网址	https://doi.org/10.1063/5.0325736
DOI	10.1063/5.0325736 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Zineng Yang; Yifan Wang; Hehe Gong; Jiaqi He; Hang-Ming Zhang; et al 出版日期：2026-06-01
求助人	机灵的波比在 2026-07-28 15:22:49 发布自河南，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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