Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001) Grown under Nitrogen Flux: Evidence of Low Nitrogen Doping and High Charge Transfer

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标题	Epitaxial Graphene on 4H-SiC(0001) Grown under Nitrogen Flux: Evidence of Low Nitrogen Doping and High Charge Transfer
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/nn304315z
DOI	10.1021/nn304315z doi
其它	期刊：ACS Nano 作者：Emilio Velez-Fort; Claire Mathieu; Emiliano Pallecchi; Marine Pigneur; Mathieu G. Silly; et al 出版日期：2012-11-14
求助人	阔达寒松在 2026-09-15 16:04:33 发布自江苏，悬赏 10 积分
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