N-polar binary GaN/AlN single-crystal high-electron-mobility transistor structures on bulk AlN substrates by molecular beam epitaxy

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标题	N-polar binary GaN/AlN single-crystal high-electron-mobility transistor structures on bulk AlN substrates by molecular beam epitaxy
网址	http://dx.doi.org/10.1116/6.0005413
DOI	10.1116/6.0005413 doi
其它	期刊：Journal of Vacuum Science & Technology A 作者：Jashan Singhal; Naomi Pieczulewski; Len van Deurzen; Changkai Yu; Huili Grace Xing; et al 出版日期：2026-05-15
求助人	tonyguo 在 2026-07-03 10:23:50 发布自浙江，悬赏 10 积分
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