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  Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via Si deposition followed by low-temperature oxidation and high-temperature nitridation 低温氧化高温氮化沉积SiC（0001）/SiO2界面的设计与形成
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期刊：Applied Physics Express 作者：Takuma Kobayashi; Takafumi Okuda; Keita Tachiki; Kōji Itō; Yu‐ichiro Matsushita; et al 出版日期：2020-08-14 |
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