Understanding the $C-V$ Characteristics of InAsSb-Based nBn Infrared Detectors With N- and P-Type Barrier Layers Through Numerical Modeling

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标题	Understanding the $C-V$ Characteristics of InAsSb-Based nBn Infrared Detectors With N- and P-Type Barrier Layers Through Numerical Modeling
网址	https://ieeexplore.ieee.org/ielx7/6245494/8656606/08698299.p...
DOI	10.1109/jeds.2019.2913157 doi
其它	期刊：IEEE Journal of the Electron Devices Society 作者：Andreu L. Glasmann; Ilya Prigozhin; E. Bellotti 出版日期：2019-04-24
求助人	星辰亦会累在 2026-07-19 17:47:08 发布自浙江，悬赏 10 积分
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