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Single-event burnout hardening in p-GaN HEMTs through comb-patterned N-AlGaN channel engineering |
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期刊:Microelectronics Journal 作者:Sheng Gao; Xuan Li; Liang Jing; Tianyu Chi; Xingyu Luo; et al 出版日期:2026-04-01 |
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(2025-6-4)