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 5 nm Gate length field-effect transistors based on monolayer α-In 2 X 3 (X = S, Se, Te) 相关领域
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期刊：Physical Chemistry Chemical Physics 作者：Yun-Ya Zhong; Jian‐Qing Dai; Jin Yuan; Dawei Deng; Miao-Wei Zhao 出版日期：2025-01-01 |
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