Effects of defects and dopants on p-type selenium-doped amorphous tellurium oxide: Electronic structure and transistor performance from multiscale modeling

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标题	Effects of defects and dopants on p-type selenium-doped amorphous tellurium oxide: Electronic structure and transistor performance from multiscale modeling
网址	https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.23.054072
DOI	10.1103/PhysRevApplied.23.054072 doi
其它	期刊：Physical review applied 作者：Kuan-Rong Hao; Xinhe Wang; Zhaoqiang Bai; Jun Deng; Qing‐Bo Yan; et al 出版日期：2025-05-27
求助人	ting 在 2026-07-30 00:00:16 发布自白俄罗斯，悬赏 10 积分
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