Influence of the Device Structure on the Electrical and Photodetector Properties of n-MoS2/p-GaSe Heterojunction Optoelectronic Devices

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标题	Influence of the Device Structure on the Electrical and Photodetector Properties of n-MoS2/p-GaSe Heterojunction Optoelectronic Devices
网址	https://doi.org/10.1021/acsanm.3c01376
DOI	10.1021/acsanm.3c01376 doi
其它	期刊：ACS Applied Nano Materials 作者：Xiaoxiang Wu; Wenxuan Guo; Mengge Li; Cong Xiao; Tianjian Ou; et al 出版日期：2023
求助人	再慕在 2026-03-10 17:55:44 发布自河南，悬赏 10 积分
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