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Monolithic Heterogeneous Integration of 6-Inch GaN/Si CMOS 1P2M Process on Si (111) Substrate and Platformed Devices
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DOI
10.23919/ISPSD62843.2025.11117232 doi
其它 期刊:2025 37th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD)
作者:Wenzhang Du; Hanzhao He; Xiaojun Fu; Wenqi Fan; Junyan Zhu; et al
出版日期:2025
求助人
stop here 在 2026-04-09 15:47:04 发布自湖南,悬赏 10 积分
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