A 4H-SiC MOSFET-Based ESD Protection With Improved Snapback Characteristics for High-Voltage Applications

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标题	A 4H-SiC MOSFET-Based ESD Protection With Improved Snapback Characteristics for High-Voltage Applications
网址	http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2020.3032917
DOI	10.1109/tpel.2020.3032917 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Kyoung-Il Do; Jong-Il Won; Yong-Seo Koo 出版日期：2021-05-01
求助人	ppboyindream 在 2026-10-23 18:57:06 发布自上海，悬赏 10 积分
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