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 Characterization of deep-level defects in highly-doped silicon with asymmetric structure by transient capacitance spectroscopy 非对称结构高掺杂硅深能级缺陷的瞬态电容谱表征
相关领域
深能级瞬态光谱
材料科学
光激发
硅
光电子学
半导体
兴奋剂
电容
光电流
光谱学
分子物理学
原子物理学
化学
物理化学
物理
量子力学
激发态
电极
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期刊：Journal of Materials Science 作者：Chixian Liu; Wei Dou; Changyi Pan; Ziwei Yin; Xiaoyan Liu; et al 出版日期：2023-06-26 |
| 求助人 |
脑洞疼
在
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