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 Investigation of Ge-Based P-Channel Planar-Doped Barrier FETs integrated on Si 硅基P沟道平面掺杂势垒场效应晶体管的研究
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期刊：Microelectronics Journal 作者：Yasmine Elogail; Fritz Berkmann; Caterina J. Clausen; Inga A. Fischer; Linda A. Hänel; et al 出版日期：2022-02-28 |
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