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 Ambient-hydrogen-induced changes in the characteristics of Pt/GaN Schottky diodes fabricated on bulk GaN substrates 相关领域
材料科学
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期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Yoshihiro Irokawa; Tomoko Ohki; Toshihide Nabatame; Yasuo Koide 出版日期：2021-06-01 |
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