| 标题 |
 Si-Ge intermixing induced at mesa sidewalls of Si-capped Ge epitaxial layers on Si for operation wavelength tuning in Ge photonic devices 相关领域
材料科学
光电子学
外延
薄脆饼
梅萨
波长
图层（电子）
锗
化学气相沉积
表面粗糙度
光子学
光子晶体
原子层沉积
硅
纳米技术
计算机科学
程序设计语言
复合材料
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期刊： 作者：Yasuhiko Ishikawa; Kazuki Kawashita; Riku Katamawari; Kazuki Ito; Moïse Sotto 出版日期：2019-11-18 |
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